[发明专利]脉冲模式的直接写入激光金属化有效
| 申请号： | 201580015581.9 | 申请日： | 2015-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106133891B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | M.泽诺;Z.科特勒;J.安克里;A.罗特内默;O.叶尔马克 | 申请（专利权）人： | 奥博泰克有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L21/4763;H05K3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造的方法，包括：用基质(28)涂布基板(22)，该基质含有要在基板上被图案化的材料。通过引导脉冲能量束照射在图案的轨迹上，以便在未完全烧结图案中的材料的情况下致使沿着图案将材料黏附至基板，从而将图案固定在基质中。将在被固定图案之外的基板上剩余的基质移除，并且在移除基质之后，烧结图案中的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 模式 直接 写入 激光 金属化 | ||
【主权项】：
一种用于制造的方法，包括：用基质涂布基板，该基质含有要在基板上被图案化的材料；通过引导脉冲能量束照射在图案的轨迹上，以便在未完全烧结图案中的材料的情况下致使沿着图案将材料黏附至基板，从而将图案固定在基质中；将在被固定图案之外的基板上剩余的基质移除；以及在移除基质之后，烧结图案中的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
