[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜在审
| 申请号： | 201580012984.8 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106132901A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01L21/20;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga2O3相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 以及 得到 半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其以氧化物的形式含有铟和镓，并且以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.60以下，并且含有氮，并且不含有锌，其特征在于，实质上不含有纤锌矿型结构的GaN相。
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