[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜

摘要

本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga₂O₃相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。

主权项

一种氧化物烧结体，其含有作为氧化物的铟和镓，由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的所述镓的含量为0.005以上且小于0.20，所述氧化物烧结体含有氮而不含有锌，所述氧化物烧结体的特征在于，实质上不含有纤锌矿型结构的GaN相。