[发明专利]采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法，减少形成将两个隧道场效应晶体管电连接的电路所需要的面积及成本，并且还减少寄生电容、寄生电阻。作为解决方案，采用隧道场效应晶体管的集成电路的特征在于，在一个活性区域以同一极性形成有第一隧道场效应晶体管和第二隧道场效应晶体管，所述第一隧道场效应晶体管的第一P型区域及第一N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，所述第二隧道场效应晶体管的第二P型区域及第二N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，并且所述第一P型区域与所述第二N型区域相邻，相邻的所述第一P型区域与所述第二N型区域利用金属半导体合金膜电连接。

主权项

1.一种采用隧道场效应晶体管的集成电路，其特征在于，在一个活性区域以同一极性形成有第一隧道场效应晶体管和第二隧道场效应晶体管，所述第一隧道场效应晶体管的第一P型区域及第一N型区域中的一者作为源极区域工作、另一者作为漏极区域工作，所述第二隧道场效应晶体管的第二P型区域及第二N型区域中的一者作为源极区域工作、另一者作为漏极区域工作，所述第一P型区域与所述第二N型区域相邻，相邻的所述第一P型区域与所述第二N型区域利用金属半导体合金膜电连接，所述金属半导体合金膜架设在分别从半导体层的正面以固定的形成深度形成且对置地配置的所述第一P型区域与所述第二N型区域之间，并且，所述金属半导体合金膜从所述半导体层的正面位置形成至比所述第一P型区域及所述第二N型区域的形成深度更深的深度。