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[发明专利]配线基板以及使用其的光照射装置-CN201580038390.4有效
发明人：户川拓三;森贵洋 -专利权人： CCS株式会社
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明在使用了由金属构成的基底基板的配线基板中，能够通过手工作业轻易地钎焊电子器件，该配线基板包括：基底基板(21)，所述基底基板(21)由金属构成；以及配线导体层(23)，所述配线导体层(23)隔着绝缘层(22)而形成在所述基底基板(21)的上表面(21a)上。此外，配线导体层(23)上设置有钎焊有电子器件或者外部导线的个别钎焊区域(R2)。并且，基底基板(21)的与个别钎焊区域(R2)对应的部分(21X)的全部或者一部分被去除。
配线基板以及使用照射装置

[发明专利]半导体元件及其制造方法、以及半导体集成电路-CN201480049098.8有效
发明人： 森贵洋 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供一种能够简易且低成本地制造，能够获得较大的隧道电流，并具有优异动作特性的半导体元件及其制造方法、并提供一种具有所述半导体元件的半导体集成电路。本发明的半导体元件的特征在于，隧道结的整体或者一部分由含有等电子陷阱形成杂质的间接跃迁型半导体的半导体区域构成。
半导体元件及其制造方法以及集成电路

[发明专利]采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法-CN201580012440.1有效
发明人： 森贵洋 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法，减少形成将两个隧道场效应晶体管电连接的电路所需要的面积及成本，并且还减少寄生电容、寄生电阻。作为解决方案，采用隧道场效应晶体管的集成电路的特征在于，在一个活性区域以同一极性形成有第一隧道场效应晶体管和第二隧道场效应晶体管，所述第一隧道场效应晶体管的第一P型区域及第一N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，所述第二隧道场效应晶体管的第二P型区域及第二N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，并且所述第一P型区域与所述第二N型区域相邻，相邻的所述第一P型区域与所述第二N型区域利用金属半导体合金膜电连接。
采用隧道场效应晶体管集成电路及其制造方法