[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

摘要

本发明的特征在于，包括在n型硅基板(1)的一主面侧形成p型扩散层(2)并形成具有pn结的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的受光面1A侧的表面作为钝化膜形成氧化硅膜(5)与氮化硅膜的层叠膜的工序；在钝化膜形成开口区域(9)的工序；对钝化膜的开口区域(9)将钝化膜作为掩模来扩散n型杂质并形成高浓度扩散区域(11)的工序；以及在暴露于钝化膜的开口区域(9)的所述高浓度扩散区域(11)选择性地形成金属电极(13)的工序。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，包括如下工序：在第1导电类型的硅基板的一主面侧形成第2导电类型的半导体区域，形成具有pn结的硅基板；在所述硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的所述第1主面侧的表面形成钝化膜；利用蚀刻膏在所述钝化膜形成开口区域；对于所述钝化膜的所述开口区域将所述钝化膜作为掩模来使n型杂质扩散，形成高浓度扩散区域；以及在暴露于所述钝化膜的所述开口区域的所述高浓度扩散区域选择性地形成集电电极，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在形成所述开口区域的工序之后、形成所述高浓度扩散区域的工序之前，包括对于所述钝化膜的所述开口区域将所述钝化膜作为掩模来蚀刻所述硅基板表面的一部分并形成进行纹理加工而得到的凹部的工序，形成所述高浓度扩散区域的工序是从通过所述蚀刻所形成的所述凹部在所述第1导电类型的硅基板或者所述第2导电类型的半导体区域中的构成n型的表面的区域形成以一定厚度延伸的高浓度扩散区域的工序，形成所述集电电极的工序是形成与所述高浓度扩散区域表面的所述凹部相抵接的所述集电电极的工序。