[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，包括如下工序：

在第1导电类型的硅基板的一主面侧形成第2导电类型的半导体区域，形成具有pn结的硅基板；

在所述硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的所述第1主面侧的表面形成钝化膜；

利用蚀刻膏在所述钝化膜形成开口区域；

对于所述钝化膜的所述开口区域将所述钝化膜作为掩模来使n型杂质扩散，形成高浓度扩散区域；以及

在暴露于所述钝化膜的所述开口区域的所述高浓度扩散区域选择性地形成集电电极，

所述太阳能电池的制造方法的特征在于，

在形成所述开口区域的工序之后、形成所述高浓度扩散区域的工序之前，包括对于所述钝化膜的所述开口区域将所述钝化膜作为掩模来蚀刻所述硅基板表面的一部分并形成进行纹理加工而得到的凹部的工序，

形成所述高浓度扩散区域的工序是从通过所述蚀刻所形成的所述凹部在所述第1导电类型的硅基板或者所述第2导电类型的半导体区域中的构成n型的表面的区域形成以一定厚度延伸的高浓度扩散区域的工序，

形成所述集电电极的工序是形成与所述高浓度扩散区域表面的所述凹部相抵接的所述集电电极的工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述钝化膜形成开口区域的工序包括在应该形成所述开口区域的区域涂敷蚀刻膏的工序。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述硅基板是具有第1主面以及第2主面的n型的硅基板，

所述第2导电类型的半导体区域是在第2主面侧形成的p型扩散区域，

形成所述高浓度扩散区域的工序是在所述第1主面侧作为所述n型杂质选择性地使磷扩散来形成选择发射极区域的工序。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述硅基板是具有第1主面以及第2主面的n型的硅基板，

所述第2导电类型的半导体区域是在第2主面侧形成的p型扩散区域，

形成所述高浓度扩散区域的工序是在所述第1主面侧作为所述n型杂质选择性地使磷扩散来形成选择发射极区域的工序。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在1.0×10¹⁷以上且1.0×10²¹/cm³以下的范围内调整在所述钝化膜的开口区域扩散的磷浓度。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在1.0×10¹⁷以上且1.0×10²¹/cm³以下的范围内调整在所述钝化膜的开口区域扩散的磷浓度。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述选择发射极区域的工序包括对所述钝化膜的开口区域将钝化膜作为掩模来涂敷掺杂膏的工序、以及进行加热的工序。

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述集电电极的工序包括：

形成包含金属膜的种子层的工序；以及

在所述种子层上面形成镀敷层的工序。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述集电电极的工序包括：

形成包含金属膜的种子层的工序；以及

在所述种子层上面形成镀敷层的工序。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述种子层的工序是形成包含Ni或者Ti的金属膜的工序，

形成所述镀敷层的工序包括将Ag或者Cu进行镀敷的工序。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述开口区域的工序包括：

在所述第1导电类型的硅基板表面的第1方向平行地形成多个开口区域的工序；包括将与所述开口区域交叉的第2方向设为未开口的工序，在所述开口区域的第1导电类型的硅基板表面使n型杂质扩散来形成高浓度扩散区域的工序；以及在所述开口区域的所述高浓度扩散区域和非开口区域形成集电电极的工序。