[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201580008068.7 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN106029959B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人;大黑宽典;坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 主表面 单晶 制造 贮存 接触区域 籽晶 生长 润湿 溶液生长法 单晶生长 起始点 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶的制造方法，其为利用将籽晶的主表面朝向下方并使其与Si‑C溶液接触而在所述主表面上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法，所述主表面平坦，所述制造方法包括下述工序：接触工序A，使所述主表面的一部分区域与贮存的Si‑C溶液接触；接触工序B，以在所述接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大所述主表面与所述贮存的Si‑C溶液的接触区域；和生长工序，使SiC单晶在与所述贮存的Si‑C溶液接触的所述主表面上生长，其中，所述接触工序A包括下述工序：工序A‑1a，通过使所述主表面与所述贮存的Si‑C溶液接触，然后使所述主表面离开所述贮存的Si‑C溶液，由此成为在所述主表面的一部分区域附着有Si‑C溶液的状态；工序A‑1b，使附着于所述主表面的一部分区域的Si‑C溶液与所述贮存的Si‑C溶液接触。
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