[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580007934.0 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105981148B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 神崎庸辅;金子诚二;齐藤贵翁;高丸泰;井手启介 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/318;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板；由所述基板支承且具有氧化物半导体层的薄膜晶体管；以覆盖所述薄膜晶体管的方式设置的有机绝缘层；设置在所述有机绝缘层上的下层电极；设置在所述下层电极上的电介质层；和设置在所述电介质层上且具有隔着所述电介质层与所述下层电极相对的部分的上层电极，所述电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜，所述硅氮化物膜的相对介电常数为6.56以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
