[发明专利]使用CMOS工艺流程制造电荷捕获栅极堆叠的方法在审
| 申请号： | 201580007699.7 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106062957A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳斯瓦米·库马尔;施慧美 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了制造存储器件的方法。一般地，该方法包括：在基底的表面上形成电介质堆叠，该电介质堆叠包括隧穿电介质和上覆于隧穿电介质的电荷捕获层；在电介质堆叠之上沉积包括氧化物的第一盖层；在第一盖层之上形成包括氮化物的第二盖层；图案化第一盖层和第二盖层以及电介质堆叠以形成存储器件的栅极堆叠；去除第二盖层；以及执行氧化过程以在电荷捕获层之上形成阻挡氧化物，其中，氧化过程消耗第一盖层。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 cmos 工艺流程 制造 电荷 捕获 栅极 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在基底上形成电介质堆叠，所述电介质堆叠包括在所述基底之上的隧穿电介质和在所述隧穿电介质之上的电荷捕获层；在所述电介质堆叠之上形成包括氧化物的第一盖层；在所述第一盖层之上形成包括氮化物的第二盖层；在所述基底的第一区域中图案化所述第一盖层和第二盖层以及所述电介质堆叠以形成存储器件的栅极堆叠；去除所述第二盖层；以及执行氧化过程以在所述电荷捕获层之上形成阻挡氧化物，其中，所述氧化过程消耗所述第一盖层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛普拉斯半导体公司，未经赛普拉斯半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580007699.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆密封组件及其制造方法
- 下一篇：具有高熔点的异相丙烯共聚物
- 同类专利
- 专利分类
