[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 201580007205.5 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106170862B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | T.S.亨德森;R.E.克纳普 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 各种实施方案提供一种静电放电(ESD)保护装置。所述ESD保护装置可包括以层的形式形成于彼此顶部上的次集电极、集电极、基极和发射极。所述发射极可包括与所述基极中所包括的半导体不同的半导体以形成异质结。所述ESD保护装置可包括设置在所述次集电极上的集电极触点和设置在所述发射极上的发射极触点。所述ESD保护装置可以是二端子装置，所述二端子装置不具有与所述基极耦接的导电基极触点。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电ESD保护设备，其包括：次集电极；设置在所述次集电极上的集电极触点；邻近所述集电极触点设置在所述次集电极上的集电极；设置在所述集电极上的基极；设置在所述基极上的发射极；以及设置在所述发射极上的发射极触点；其中所述ESD保护设备是包括所述集电极触点和所述发射极触点、但是不包括与所述基极导电地耦接的基极触点的二端子装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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