[发明专利]透明导电性薄膜

摘要

提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度n_a×10¹⁹为(10～60)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_a为10～25cm²/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度n_c×10¹⁹为(80～150)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_c为20～40cm²/V·s，由{(n_c‑n_a)²+(μ_c‑μ_a)²}^1/2定义的移动距离L为50～150。

主权项

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有结晶质透明导电层的透明导电性薄膜，所述结晶质透明导电层是通过溅射而在高分子薄膜基材上形成包含铟‑锡复合氧化物的非晶质透明导电层并对所述非晶质透明导电层进行晶体转化处理而得到的，将所述非晶质透明导电层的载流子密度设为n_a×10¹⁹、霍尔迁移率设为μ_a、所述结晶质透明导电层的载流子密度设为n_c×10¹⁹、霍尔迁移率设为μ_c、移动距离L设为{(n_c‑n_a)²+(μ_c‑μ_a)²}^1/2时，所述晶体转化处理前的所述非晶质透明导电层的载流子密度n_a×10¹⁹为(10～60)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_a为10～25cm²/V·s，所述晶体转化处理后的所述结晶质透明导电层的载流子密度n_c×10¹⁹为(80～150)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_c为20～40cm²/V·s，所述移动距离L为50～150，所述结晶质透明导电层的电阻率为1.1×10^‑4Ω·cm～3.0×10^‑4Ω·cm。