[发明专利]透明导电性薄膜

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有结晶质透明导电层的透明导电性薄膜，所述结晶质透明导电层是通过溅射而在高分子薄膜基材上形成包含铟-锡复合氧化物的非晶质透明导电层并对所述非晶质透明导电层进行晶体转化处理而得到的，

将所述非晶质透明导电层的载流子密度设为n_a×10¹⁹、霍尔迁移率设为μ_a、所述结晶质透明导电层的载流子密度设为n_c×10¹⁹、霍尔迁移率设为μ_c、移动距离L设为{(n_c-n_a)²+(μ_c-μ_a)²}^1/2时，

所述晶体转化处理前的所述非晶质透明导电层的载流子密度n_a×10¹⁹为(10～60)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_a为10～25cm²/V·s，

所述晶体转化处理后的所述结晶质透明导电层的载流子密度n_c×10¹⁹为(80～150)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_c为20～40cm²/V·s，

所述移动距离L为50～150，

所述结晶质透明导电层的电阻率为1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述晶体转化处理在温度110～180℃下、在120分钟以内对所述非晶质透明导电层进行晶体转化。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶质透明导电层的厚度为15nm～40nm，

所述非晶质透明导电层的电阻率为4.0×10^-4Ω·cm～2.0×10^-3Ω·cm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述结晶质透明导电层包含铟-锡复合氧化物，由{氧化锡/(氧化铟+氧化锡)}×100(％)表示的氧化锡的比率为0.5～15重量％。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，包含所述结晶质透明导电层，且具备包含锡含量互不相同的至少2层铟-锡复合氧化物层的结构，

所述至少2层铟-锡复合氧化物的各层为非晶质或结晶质。

6.根据权利要求5所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述至少2层铟-锡复合氧化物层为从所述高分子薄膜基材侧起依次层叠有第一铟-锡复合氧化物层、第二铟-锡复合氧化物层的2层结构，

所述第一铟-锡复合氧化物层的氧化锡含量为6重量％～15重量％，

所述第二铟-锡复合氧化物层的氧化锡含量为0.5重量％～5.5重量％。

7.根据权利要求5所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述至少2层铟-锡复合氧化物层为从所述高分子薄膜基材侧起依次层叠有第一铟-锡复合氧化物层、第二铟-锡复合氧化物层、第三铟-锡复合氧化物层的3层结构，

所述第一铟-锡复合氧化物层的氧化锡的含量为0.5重量％～5.5重量％，

所述第二铟-锡复合氧化物层的氧化锡的含量为6重量％～15重量％，

所述第三铟-锡复合氧化物层的氧化锡的含量为0.5重量％～5.5重量％。

8.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在所述高分子薄膜基材的至少一个面上形成有利用湿式成膜法形成的有机系电介质层，

依次形成有所述高分子薄膜基材、所述有机系电介质层和所述结晶质透明导电层。