[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度n_a×10¹⁹为(10～60)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_a为10～25cm²/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度n_c×10¹⁹为(80～150)×10¹⁹/cm³、霍尔迁移率μ_c为20～40cm²/V·s，由{(n_c‑n_a)²+(μ_c‑μ_a)²}^1/2定义的移动距离L为50～150。

技术领域

本发明涉及通过手指、手写笔等的接触而能够输入信息的输入显示装置等中应用的透明导电性薄膜。

背景技术

以往，电容型触摸面板传感器中，采用了具备薄膜基材、形成于该薄膜基材的表面的透明导电层和以埋设该透明导电层的方式层叠的粘合层的透明导电性薄膜。通常，在基板上利用溅射法等形成包含ITO(氧化铟锡(indium tin oxide))的膜，然后对该膜实施利用加热的晶体转化处理，对热处理后的ITO膜实施蚀刻处理等，从而可以得到透明电极图案。

近年来，将这样的透明导电性薄膜应用于能够多点输入(multi-touch)的电容型触摸面板传感器的需求高涨。另外，为了实现大画面化、响应速度的提高，寻求透明导电性薄膜的进一步的改良。

例如，提出了具备如下透明导电层的透明导电性薄膜，即所述透明导电层包含锡原子的量相对于将铟原子和锡原子加合而得的重量为1～6重量％的铟锡复合氧化物，膜厚为15～50nm，霍尔迁移率为30～45cm²/V·S，载流子密度为(2～6)×10²⁰个/cm³(专利文献1)。该透明导电层中，利用加热的晶体转化处理前的霍尔迁移率为15～28cm²/V·S、载流子密度为(2～5)×10²⁰个/cm³，因此，利用加热的晶体转化处理后的霍尔迁移率与利用加热的晶体转化处理前相比变为较大的值，利用加热的晶体转化处理后的载流子密度与利用加热的晶体转化处理前相比为没有怎么变化的值。根据该方案，可以提供透明性优异、且电阻率不会过低的结晶质透明导电层。

另外，作为其他透明导电性薄膜，提出了如下透明导电性薄膜：透明基材的形成有透明导电层的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，透明导电层中的锡原子的量相对于将铟原子和锡原子加合而得的重量超过6重量％且为15重量％以下，透明导电层的霍尔迁移率为10～35cm²/V·s，载流子密度为(6～15)×10²⁰/cm³(专利文献2)。该透明导电层中，利用加热的晶体转化处理前的霍尔迁移率为5～30cm²/V·S、载流子密度为(1～10)×10²⁰个/cm³，因此，利用加热的晶体转化处理后的霍尔迁移率和载流子密度均变为一定程度大于晶体转化处理前的值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-202756号公报

专利文献2：日本特表2012-134085号公报

发明内容

发明要解决的问题