[发明专利]使用光学传感器的脉冲等离子体监测有效
| 申请号： | 201580001487.8 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105474378B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 连雷;Q·沃克;D·坎特维尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了使用光学传感器对脉冲等离子体的监测。在一个示例中，本发明包括：接收由半导体等离子体处理腔室中的脉冲等离子体所发射的光；以比脉冲等离子体的脉冲速率高的采样率对所接收的光进行采样，其中所采样的光具有周期性的振幅波形并且采样率比振幅波形的周期高；累积多个经采样的波形以形成平均波形；以及将平均波形的特性传输至腔室控制工具。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光学 传感器 脉冲 等离子体 监测 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲等离子体监测方法，包括：接收由半导体等离子体处理腔室中的脉冲等离子体所发射的光；以比所述脉冲等离子体的脉冲速率高的采样率对所接收的光进行采样，其中所采样的光具有周期性的振幅波形并且所述采样率比所述周期性的振幅波形的频率高；累积多个经采样的波形以形成平均波形；以及将所述平均波形的特性传输至腔室控制工具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
