[实用新型]一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片有效
| 申请号： | 201520978786.4 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN205282498U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529030 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，LED晶圆外通过光刻工艺设置有透明绝缘的光阻层。本实用新型的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 光刻 保护层 led 发光 芯片 | ||
【主权项】：
一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），形成LED晶圆，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）上分别设置有金属电极（51；52），其特征在于：还包括通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外形成的光阻层（60）。
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