[实用新型]一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED领域，具体涉及一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片。

背景技术

LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点，广泛应用于照明领域。LED芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、发光层和P型半导体组成，所述N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极。现有的LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层（SiO₂层），起保护作用，光阻层（由光刻胶形成）设置在钝化层外。由于现有的LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，增加成本；此外，由于SiO₂是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。

实用新型内容

为克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护，简化芯片结构。

本实用新型为解决其技术问题采用的技术方案是：

一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，还包括通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外形成的光阻层。

作为上述技术方案的进一步改进，所述光阻层上设置有使金属电极外露的缺口。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。

附图说明

以下结合附图和实例作进一步说明。

图1是本实用新型的一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片的结构示意图。

具体实施方式

参照图1，本发明提供的一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底10，衬底10上由下向上依次设置有N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，形成LED晶圆，其中N型半导体层20上设置有与电源负极连接的金属电极52，P型半导体层40上设置有与电源正极连接的金属电极51。LED晶圆外直接覆盖有透明绝缘的光阻层60，光阻层60上对应两个金属电极51、52分别设置有使金属电极51、52外露的缺口。

本发明还提供了一种制作上述采用光刻胶作保护层的LED发光芯片的方法，包括以下步骤：首先，准备一衬底10，在衬底10上方设置N型半导体层20，在N型半导体层20上方设置发光层30，且N型半导体层20部分暴露在发光层30外，在发光层30上设置P型半导体层40，得到LED晶圆；在N型半导体层20的暴露区上设置金属电极52，在P型半导体层40上设置金属电极51；通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层60；采用显影液蚀刻掉金属电极51、52上方的光阻层60，使金属电极51、52从光阻层60的缺口中外露。

此外，本发明还提供了另一种制作上述采用光刻胶作保护层的LED发光芯片的方法，可起到相同的效果，该方法包括以下步骤：首先，准备一衬底10，依次在衬底10上制作N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，N型半导体层20部分暴露在发光层30外，形成LED晶圆；通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层60；采用显影液把N型半导体层20的暴露区和P型半导体层40上需要制作电极的区域的光阻层60蚀刻掉；在外露的N型半导体层20上设置金属电极52，并在外露的P型半导体层40上设置金属电极51。

本发明的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层60直接覆盖LED晶圆，光阻层60取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层60是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。

以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。