[实用新型]一种具有特殊耐压环的高压功率器件有效
| 申请号： | 201520890629.8 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN205177848U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周炳;石英学;郝建勇;张志娟 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 黄杭飞 |
| 地址： | 215617 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有特殊耐压环的高压功率器件，其包括工作区(1)和终端区(2)；所述工作区(1)和终端区(2)的衬底(3)上表面设有外延层(4)；所述终端区(2)自所述外延层(4)的上表面向下开设有耐压环沟槽(21)；所述耐压环沟槽(21)的深度小于所述外延层(4)的厚度，其内部填充有轻掺杂的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面与所述外延层(4)的上表面平齐；同时，所述耐压环沟槽(21)内填充的所述P型GaN材料上表面还覆盖有一层边缘钝化层(5)。本实用新型结构设计简单、合理，使用稳定、可靠，在有效提高器件的击穿电压的同时，能有效减小终端区的面积，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 特殊 耐压 高压 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种具有特殊耐压环的高压功率器件，包括工作区(1)和终端区(2)；所述工作区(1)和终端区(2)的衬底(3)上表面设有外延层(4)；其特征在于：所述终端区(2)自所述外延层(4)的上表面向下开设有耐压环沟槽(21)；所述耐压环沟槽(21)的深度小于所述外延层(4)的厚度，其内部填充有轻掺杂的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面与所述外延层(4)的上表面平齐；同时，所述耐压环沟槽(21)内填充的所述P型GaN材料上表面还覆盖有一层边缘钝化层(5)。
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