[实用新型]图像传感器及其系统有效
| 申请号： | 201520752244.5 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN204966500U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | D·泰克莱布 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其系统。根据一个实施例，提供了一种图像传感器，包括：衬底，包含光电二极管的阵列，其中所述衬底包括用第一浓度的离子掺杂的外延硅；以及多个隔离区，其中每个隔离区介于所述光电二极管的阵列中的一对相邻的光电二极管之间，其中所述隔离区包括用第二浓度的离子掺杂的外延硅。本公开的一个实施例解决的一个问题是提供在图像传感器中改进的隔离区。根据本公开的一个实施例的一个用途是提供在图像传感器中改进的隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于包括：衬底，包含光电二极管的阵列，其中所述衬底包括用第一浓度的离子掺杂的外延硅；以及多个隔离区，其中每个隔离区介于所述光电二极管的阵列中的一对相邻的光电二极管之间，其中所述隔离区包括用第二浓度的离子掺杂的外延硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
