[实用新型]一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池有效

专利信息
申请号: 201520745057.4 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN204991706U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 吴洪清;张永;李俊承;韩效亚;米万里;周大勇;杨洪东 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L31/042
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人: 江平
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池,涉及砷化镓多结太阳电池生产技术领域。在永久衬底的正反面分别通过键合层各自连接正电池外延层和反电池外延层,在正电池外延层的表面设置正电池上电极,在反电池外延层的表面设置反电池上电极,在正电池外延层和反电池外延层的表面分别设置减反射膜,在永久衬底的正反两面分别刻穿露出作为正电池下电极、反电池下电极的键合层。本实用新型在同一个永久衬底的正反两面同时制有负为独立的正面电池和反面电池,正、反面电池均可吸收光转化电能,增加了太阳电池的电输出功率,二者同时工作、互不影响。
搜索关键词: 一种 倒置 结构 双面 gaas 太阳电池
【主权项】:
一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池,其特征在于包括半绝缘或绝缘永久衬底,在所述永久衬底的正反两面分别通过键合层各自连接正电池外延层和反电池外延层,在正电池外延层的表面设置正电池上电极,在反电池外延层的表面设置反电池上电极,在正电池外延层和反电池外延层的表面分别设置减反射膜,在所述永久衬底的正反两面分别刻穿露出作为正电池下电极、反电池下电极的键合层。
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