[实用新型]一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器有效

专利信息
申请号: 201520709045.6 申请日: 2015-09-10
公开(公告)号: CN204993304U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 齐盛 申请(专利权)人: 杭州宽福科技有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管。
搜索关键词: 一种 利用 mos 电容 放电 延迟 实现 环形 振荡器
【主权项】:
一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器,其特征在于:包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管;所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接地,漏极接地,源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极,漏极节所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第四PMOS管的栅极节所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极节电源电压VCC;所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,源极接所述第一电阻的一端;所述第一电阻的一端接所述第二NMOS管的源极,另一端接地;所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,源极接地;所述第七PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第八PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第八PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第七PMOS管的漏极;所述第四NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接所述第八PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第五NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,漏极接所述第四NMOS管的源极,源极接地;述第六NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第十PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;述第十PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,源极接所述第九PMOS管的漏极;所述第七NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极,漏极接所述第十PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,源极接所述第八NMOS管的漏极;所述第八NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,漏极接所述第七NMOS管的源极,源极接地;所述第九NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第十一PMOS管的栅极接所述第九PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第十二PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第十二PMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,漏极接所述第十NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,源极接所述第十一PMOS管的漏极;所述第十NMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极和所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极,漏极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,源极接所述第十一NMOS管的漏极;所述第十一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极,漏极接所述第十NMOS管的源极,源极接地;述第十二NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第十三PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接电源电压VCC;所述第十三NMOS管的栅极接所述第十三PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接地。
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