[实用新型]一种背接触异质结单晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201520667111.8 | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN204946910U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 张振刚;萧生刚;王海波;赵崇亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/074;H01L31/20 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 518053 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种背接触异质结单晶硅太阳能电池,属于太阳能光伏技术领域。该电池包括:单晶硅基体,正面钝化层,正面抗反射层,背面钝化层,背面基极,背面基极接触电极,背面发射极,背面发射极接触电极,背面保护膜。相对于传统晶硅电池,本实用新型有效避免了太阳能电池正面的电极遮光问题,在降低金属电极使用量的同时提高了短路电流;另一方面,异质结电池的优异钝化效果可以有效提高少子寿命和开路电压。异质结和背接触技术的结合有效提高了太阳能电池的转换效率。同时,相对于传统的异质结和背接触太阳能电池,本实用新型实现的方法更加简单,设备投资更低,适合于大批量生产的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 异质结 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种背接触异质结单晶硅太阳能电池,其特征在于该背接触异质结单晶硅太阳能电池包括:单晶硅基体,正面钝化层,正面抗反射层,背面钝化层,背面基极,背面基极接触电极,背面发射极,背面发射极接触电极以及背面保护膜;正面钝化层和正面抗反射层依次沉积在单晶硅基体的正面,在单晶硅基体的背面先沉积背面钝化层;在背面钝化层表面交替生长背面基极和背面发射极,以及背面保护膜;在背面基极表面生长背面基极接触电极,在背面发射极表面生长背面发射极接触电极;背面保护膜层位于两相邻接触电极之间并覆盖底部区域,包括背面发射极与背面基极之间的开口区域。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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