[实用新型]一种低损耗低压降开关有效

专利信息
申请号: 201520581618.1 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN204794944U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 冯国义 申请(专利权)人: 成都戎威科技发展有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 杨保刚
地址: 610045 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及电子开关领域,具体涉及一种低损耗低压降开关。本开关包括有:电压比较模块、负反馈运放电路、开关电路。采用场效应晶体管和新型电子器件电荷泵设计成新型的开关型器件,取代传统直流大功率大电流电路中用作开关的直流接触器,新开关型器件工作时,两端电压低,无用功率小,降低产生的热功耗,简化了电源设备的热设计,而且采用模块化设计,电路简单,使用方便可靠。
搜索关键词: 一种 损耗 低压 开关
【主权项】:
一种低损耗低压降开关,其特征在于,包括有:电压比较模块:包括有两个用于电压比较器的集成运放芯片U2A和U3A,两个芯片的正输入端都连接输出端OUT,负输入端都连接输入端IN,U2A的输入端连接场效应晶体管Q2的栅极,U3A的输入端连接场效应晶体管Q3的栅极;负反馈运放电路:包括一个用于负反馈放大的集成运放芯片U1A ,其负输入端通过电阻R1与输入端IN相连,芯片U1A输出端连接场效应晶体管Q2的栅极,芯片U1A的负输入端还连接有场效应晶体管Q2的源极;开关电路:包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3,场效应晶体管Q1的栅极通过控制开关与输入端IN连接,其源极连接芯片U1A的负输入端,其漏极连接芯片U3A的输出端,场效应晶体管Q2的漏极连接芯片U3A的输出端,场效应晶体管Q3的源极通过电阻R1与输入端IN连接,其漏极连接输出端OUT。
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