[实用新型]一种低损耗低压降开关有效
| 申请号： | 201520581618.1 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN204794944U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 冯国义 | 申请（专利权）人： | 成都戎威科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 杨保刚 |
| 地址： | 610045 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 低压 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗低压降开关，其特征在于，包括有：
电压比较模块：包括有两个用于电压比较器的集成运放芯片U2A和U3A，两个芯片的正输入端都连接输出端OUT，负输入端都连接输入端IN，U2A的输入端连接场效应晶体管Q2的栅极，U3A的输入端连接场效应晶体管Q3的栅极；
负反馈运放电路：包括一个用于负反馈放大的集成运放芯片U1A，其负输入端通过电阻R1与输入端IN相连，芯片U1A输出端连接场效应晶体管Q2的栅极，芯片U1A的负输入端还连接有场效应晶体管Q2的源极；
开关电路：包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3，场效应晶体管Q1的栅极通过控制开关与输入端IN连接，其源极连接芯片U1A的负输入端，其漏极连接芯片U3A的输出端，场效应晶体管Q2的漏极连接芯片U3A的输出端，场效应晶体管Q3的源极通过电阻R1与输入端IN连接，其漏极连接输出端OUT。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗低压降开关，其特征在于：场效应晶体管Q3的漏极和源极间正向连接有二极管D1。
3.根据权利要求1所述的一种低损耗低压降开关，其特征在于：运放芯片U2A和U3A的正电源输入使用电荷泵输入。
4.根据权利要求1所述的一种低损耗低压降开关，其特征在于：使用的场效应晶体管均使用N型场效应晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都戎威科技发展有限公司，未经成都戎威科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520581618.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种选频声控开关
- 下一篇：一种智能功率模块高可靠性边沿脉冲产生电路
