[实用新型]光电二极管结构有效
申请号: | 201520549787.7 | 申请日: | 2015-07-27 |
公开(公告)号: | CN204809232U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 林钦茂;张钧杰;吴声桢 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/105 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光电二极管结构,包含第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。第二半导体层设置于第一半导体层上,其中第二半导体层具有侧壁,侧壁具有上部、下部以及连接上部与下部的中央部,中央部的侧壁轮廓实质上形成一平面。第三半导体层设置于第二半导体层上,其中中央部向上延伸的延伸平面会将第三半导体层区分为第一本体与第一突出部,第一突出部自延伸平面向相对于第一本体的外侧延伸。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 结构 | ||
【主权项】:
一种光电二极管结构,其特征在于,包含:一第一半导体层;一第二半导体层,设置于该第一半导体层上,其中该第二半导体层具有一侧壁,该侧壁具有一上部、一下部以及连接该上部与该下部的一中央部,该中央部的一侧壁轮廓实质上形成一平面;以及一第三半导体层,设置于该第二半导体层上,其中该中央部向上延伸的一延伸平面会将该第三半导体层区分为一第一本体与一第一突出部,该第一突出部自该延伸平面向相对于该第一本体的外侧延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的