[实用新型]一种抗高过载的半导体制冷器有效
| 申请号： | 201520547525.7 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN204792914U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 何少伟;郭庆瑞;黄文灵;胡晓东;蒋伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/06 | 分类号： | H01L35/06;H01L35/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗高过载的半导体制冷器，属于半导体制冷器及器件封装技术领域。包括：器件封装底座、半导体制冷器、沉头螺钉、银浆或焊料等组件。所述半导体制冷器冷面的陶瓷基板两端长于热面两端，冷面的陶瓷基板两端为斜槽结构，并在斜槽中间刻有通孔，通过沉头螺钉和底座连接。利用这种结构可增强半导体制冷器抗过载的能力，提高器件的结构强度。本实用新型能保证半导体制冷器在高过载情况下器件结构完整，满足封装组件在高过载情况下的工作要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过载 半导体 制冷 | ||
【主权项】：
一种抗高过载的半导体制冷器，包括封装底座、半导体制冷器、沉头螺钉、银浆或焊料，封装底座和半导体制冷器通过银浆或焊料连接；所述的半导体制冷器冷面两端长于热面两端，冷面的陶瓷基板两端设有斜槽结构，并在斜槽中间刻有通孔，沉头螺钉穿过通孔和底座连接。
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