[实用新型]一种选择性制绒晶硅太阳能电池有效
| 申请号: | 201520522567.5 | 申请日: | 2015-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN204792818U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
| 发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/036 |
| 代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
| 地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种选择性制绒晶硅太阳能电池,包括正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、铝背场和背电极;所述减反膜、所述N型发射极、所述P型硅、所述铝背场和所述背电极依次层叠设置;所述N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域,正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触。与现有技术相比,本实用新型由于N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域,正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触,具有能明显减少硅片表面的少子复合区域,增强正电极与硅的欧姆接触,有效地提高电池的光电转换效率的优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 选择性 制绒晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种选择性制绒晶硅太阳能电池,包括正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、铝背场和背电极;所述减反膜、所述N型发射极、所述P型硅、所述铝背场和所述背电极依次层叠设置;其特征在于:所述N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域,正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





