[实用新型]一种选择性制绒晶硅太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种选择性制绒晶硅太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-NJunction)上，形成新的空穴-电子对(V-Epair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

晶硅太阳能电池的制造工艺分为制绒、扩散、刻蚀、正面镀膜、丝网印刷、烧结六大工序。其中，制绒的目的是在硅片正面形成凹凸不平的织构化绒面结构，增加太阳光的吸收面积，降低太阳光的反射率。行业内都是采用整面酸法制绒的方式对多晶硅表面制绒，在降低反射率的同时，硅片表面的少子复合也大大增加，制约了电池开路电压和短路电流的提升。另外，由于硅片上的正电极对应区域的表面为制绒面，磷源掺杂浓度不均匀，影响了电极与硅的欧姆接触，从而制约了光电转换效率的提升。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种能明显减少硅片表面的少子复合区域，增强正电极与硅的欧姆接触，有效地提高电池的光电转换效率的选择性制绒晶硅太阳能电池。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种选择性制绒晶硅太阳能电池，包括正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、铝背场和背电极；所述减反膜、所述N型发射极、所述P型硅、所述铝背场和所述背电极依次层叠设置；所述N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域，正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触。

作为上述方案的改进，所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域与所述正电极形状相同。

作为上述方案的改进，所述正电极对应的N型发射极区域为平整的表面。

作为上述方案的改进，所述减反膜对应的N型发射极区域为绒面结构。

作为上述方案的改进，所述正电极的栅线线宽为10-40um。

与现有技术相比，本实用新型由于N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域，正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触，具有能明显减少硅片表面的少子复合区域，增强正电极与硅的欧姆接触，有效地提高电池的光电转换效率的优点。

附图说明

图1是本实用新型的一种选择性制绒晶硅太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

如图1所示：本实用新型的一种选择性制绒晶硅太阳能电池，包括正电极1、减反膜2、N型发射极3、P型硅4、铝背场5和背电极6；所述减反膜2、所述N型发射极3、所述P型硅4、所述铝背场5和所述背电极6依次层叠设置；N型发射极3设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域31及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32，正电极1穿透减反膜2与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32相接形成欧姆接触。与现有技术相比，本实用新型由于N型发射极3设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域31及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32，正电极1穿透减反膜2与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32相接形成欧姆接触，具有能明显减少硅片表面的少子复合区域，增强正电极与硅的欧姆接触，有效地提高电池的光电转换效率的优点。

优选地，均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32与正电极1形状相同。

优选地，正电极1对应的N型发射极区域为平整的表面。平整的表面容易实现制作均匀浓度的高方阻磷掺杂区域32。

优选地，所述减反膜对应的N型发射极区域为绒面结构。绒面结构容易实现制作高方阻磷掺杂区域31。

优选地，所述正电极的栅线线宽为10-40um。

最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。