[实用新型]测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置有效
| 申请号： | 201520502733.5 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN204905216U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;王芸;崔介东;石丽芬;曹欣 | 申请（专利权）人： | 中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/028;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 王法男 |
| 地址： | 200061 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，包括：激励光源，其发出的照射光；介质材料，待测样品浸入所述介质材料，所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化，由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化；激光探针，其发出的光信号穿过所述介质材料，并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转；位置传感器，其感测所述偏转并发出偏转信号；及计算装置，其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。根据本实用新型的测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，测量薄膜材料的光吸收谱来测试材料中的缺陷态，对低能端(<1.1eV)的吸收具有较高的灵敏度，并可以较为准确地测量材料的缺陷态分布。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 非晶硅 薄膜 缺陷 密度 装置 | ||
【主权项】：
一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，其特征在于，包括：激励光源，其发出的照射光；介质材料，待测样品浸入所述介质材料，所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化，由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化；激光探针，其发出的光信号穿过所述介质材料，并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转；位置传感器，其感测所述偏转并发出偏转信号；及计算装置，其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
