[实用新型]一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件有效
申请号: | 201520495439.6 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN204857724U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 高秀秀;陈利;张军亮;姜帆;高耿辉 | 申请(专利权)人: | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361008 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件,其包括P型衬底以及在P型衬底上依次设置有相互隔离的齐纳二极管、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱;所述的齐纳二极管上设有第一N+有源注入区,所述的第一N型阱上设有第二N+有源注入区,所述的第二N型阱上设有第三N+有源注入区,所述的第三N型阱上设有第四N+有源注入区,各个N+有源注入区之间分别设有SP有源注入区,且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离;其中,所述的第一N型阱上设置有多个第二SP有源注入区,且各个第二SP有源注入区之间设有阳极短路点;从而提高ESD保护器件的维持电流,提高器件的工作可靠性和鲁棒性,减小了器件的面积和寄生电容,实用性更强。 | ||
搜索关键词: | 一种 齐纳二极管 触发 scr esd 保护 器件 | ||
【主权项】:
一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件,其特征在于,其包括P型衬底(1)以及在P型衬底(1)上依次设置有相互隔离的齐纳二极管(Z)、第一N型阱(2a)、第二N型阱(2b)、第三N型阱(2c);所述的齐纳二极管(Z)上设有第一N+有源注入区(5a),所述的第一N型阱(2a)上设有第二N+有源注入区(5b),所述的第二N型阱(2b)上设有第三N+有源注入区(5c),所述的第三N型阱(2c)上设有第四N+有源注入区(5d),各个N+有源注入区(5a、5b、5c、5d)之间分别设有SP有源注入区(6a、6b、6c、6d),且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离;其中,所述的第一N型阱(2a)上设置有多个第二SP有源注入区(6b),且各个第二SP有源注入区(6b)之间设有阳极短路点(3b)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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