[实用新型]一种反占空比的方波信号放大电路有效
申请号: | 201520422597.9 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN204810246U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 方镜清 | 申请(专利权)人: | 中山芯达电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K5/13 | 分类号: | H03K5/13 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 邹常友 |
地址: | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提出一种反占空比的方波信号放大电路,具有输入端和输出端,其特征在于:主要系由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成,所述第一PMOS管与第一NMOS管串联接于第一电源端与地端之间,且第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共同连接至所述输入端,第一PMOS管与第一NMOS管的连接点连接至所述输出端;所述第二PMOS管的栅极连接所述输出端,其源极连接所述第一电源端,其漏极连接至所述第一PMOS管的栅极;第二NMOS管连接于所述输入端与第一PMOS管、第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源端。本实用新型电路结构简单、实用,只需调整第一电源端的电压值便可轻松获得所需电压幅值,方便电子工程师灵活获取适合幅值的方波信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 反占空 方波 信号 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种反占空比的方波信号放大电路,具有输入端和输出端,其特征在于:主要系由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成,所述第一PMOS管与第一NMOS管串联接于第一电源端与地端之间,且第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共同连接至所述输入端,第一PMOS管与第一NMOS管的连接点连接至所述输出端;所述第二PMOS管的栅极连接所述输出端,其源极连接所述第一电源端,其漏极连接至所述第一PMOS管的栅极;第二NMOS管连接于所述输入端与第一PMOS管、第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源端;所述第一电源端具有第一直流电压,所述第二电源端具有第二直流电压。
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