[实用新型]一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置有效

专利信息
申请号: 201520391137.4 申请日: 2015-06-09
公开(公告)号: CN204679249U 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 刘晖;王昊;孙翔;沈泽南;吴迪;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01J11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型提出了一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,可以同时能够表征半导体激光器在快慢轴两个方向上的光斑分析,能够同时获取快慢轴两个方向上的发光点强度和相对位置信息。本实用新型结构简单,可靠性高,能够直接获取半导体激光器空间光束轮廓图样,同时表征半导体激光器在快慢轴方向上的腔面强度分布和各个发光的空间相对位置,为定性和定量地分析半导体激光器内部及封装中的缺陷、热、应力等因素对半导体激光器输出特性的影响提供指导,能够为研制高性能半导体激光器提供指导。
搜索关键词: 一种 多发 单元 半导体激光器 空间 光束 轮廓 测试 装置
【主权项】:
一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:包括多发光单元半导体激光器,分光镜,快轴放大成像系统,慢轴放大成像系统,图像传感器M,图像传感器N,工控机;所述的分光镜设置在多发光单元半导体激光器的出光位置,将多发光单元半导体激光器出射的光分成光束A和光束B;所述快轴放大成像系统设置在光束A传播方向,用于对光束A在快轴方向进行放大成像;所述图像传感器M设置在快轴放大成像系统后端,用于探测经快轴放大成像系统后的光束A的强度分布及光束A中的各个发光单元的相对位置偏移;所述的慢轴放大成像系统设置在光束B传播方向上,用于将光束B在慢轴方向进行放大成像,所述的图像传感器N设置在慢轴放大成像系统后端,用于探测经慢轴放大成像系统后的光束B强度分布及光束B中的各个发光单元的相对位置偏移;所述的工控机与图像传感器M及图像传感器N进行连接。
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