[实用新型]一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置有效
| 申请号： | 201520391137.4 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204679249U | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘晖;王昊;孙翔;沈泽南;吴迪;刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02;G01J11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多发 单元 半导体激光器 空间 光束 轮廓 测试 装置 | ||
1.一种多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置，其特征在于：包括多发光单元半导体激光器，分光镜，快轴放大成像系统，慢轴放大成像系统，图像传感器M，图像传感器N，工控机；所述的分光镜设置在多发光单元半导体激光器的出光位置，将多发光单元半导体激光器出射的光分成光束A和光束B；所述快轴放大成像系统设置在光束A传播方向，用于对光束A在快轴方向进行放大成像；所述图像传感器M设置在快轴放大成像系统后端，用于探测经快轴放大成像系统后的光束A的强度分布及光束A中的各个发光单元的相对位置偏移；所述的慢轴放大成像系统设置在光束B传播方向上，用于将光束B在慢轴方向进行放大成像，所述的图像传感器N设置在慢轴放大成像系统后端，用于探测经慢轴放大成像系统后的光束B强度分布及光束B中的各个发光单元的相对位置偏移；所述的工控机与图像传感器M及图像传感器N进行连接。
2.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置，其特征在于：所述的图像传感器M为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器；图像传感器N为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器。
3.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置，其特征在于：还包括反射镜，所述的反射镜设置在光束A的出射方向用于将光束A的发射光方向旋转90度后入射至快轴放大成像系统；或者所述的反射镜设置在光束B的出射方向用于将光束B的发射光方向旋转90度后入射至慢轴放大成像系统。
4.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置，其特征在于：光束A和光束B的光强比例为1：1。
5.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置，其特征在于：所述慢轴放大成像系统为远心镜成像系统。
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