[实用新型]一种高效出光的GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 201520321950.4 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN204668344U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 林海凤;吴飞翔;董发;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高效出光的GaN基LED芯片，涉及半导体发光领域。本实用新型包括从下到上依次排列的衬底、GaN缓冲层、不掺杂U-GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN层和透明导电层。在芯片一端的透明导电层上设置P型电极，在芯片另一端的N-GaN层欧姆接触层上设置N型电极。其结构特点是，所述N-GaN层欧姆接触层上还置有柱状平台。所述柱状平台位于多量子阱发光层与N型电极之间，柱状平台从下至上依次为N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层。同现有技术相比，本实用新型能有效提高LED的外量子取出效率，提高芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
一种高效出光的GaN基LED芯片，它包括从下到上依次排列的衬底（1）、GaN缓冲层（2）、不掺杂U‑GaN层（3）、N‑GaN层（4）、多量子阱发光层（5）、P‑GaN层（6）和透明导电层（7），在芯片一端的透明导电层（7）上设置P型电极（8），在芯片另一端的N‑GaN 层（4）欧姆接触层上设置N型电极（9），其特征在于：所述N‑GaN层（4）欧姆接触层上还置有柱状平台（10），所述柱状平台（10）位于多量子阱发光层（5）与N型电极（9）之间， 柱状平台（10）从下至上依次为N‑GaN层（4）、多量子阱发光层（5）和P‑GaN层（6）。
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