[实用新型]一种MEMS惯性传感器有效
| 申请号： | 201520288415.3 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN204555991U | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 郑国光 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | G01C25/00 | 分类号： | G01C25/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MEMS惯性传感器，包括衬底，以及分别固定在衬底上端、下端的盖体，两个盖体与衬底分别形成位于衬底两侧的第一容腔、第二容腔；在所述衬底的上端通过中间结合层设有位于第一容腔内的第一敏感结构，在所述衬底的下端通过中间结合层设有位于第二容腔内的第二敏感结构。实用新型的MEMS惯性传感器，衬底位于芯片的中部，在衬底的上下表面分别键合敏感结构，使得该MEMS惯性传感器具有双层的敏感结构，从而提高了芯片面积的利用率，提升了MEMS惯性传感器的整体性能，使得灵敏度增加了一倍，提高了信噪比；换言之，相比传统的MEMS惯性传感器，在不降低芯片性能的基础上，进一步缩减了MEMS芯片的尺寸，以满足电子产品的小型化发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 惯性 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS惯性传感器，其特征在于：包括衬底(1)，以及分别固定在衬底(1)上端、下端的盖体(2)，两个盖体(2)与衬底(1)分别形成位于衬底(1)两侧的第一容腔、第二容腔；在所述衬底(1)的上端通过中间结合层(4)设有位于第一容腔内的第一敏感结构(3)，在所述衬底(1)的下端通过中间结合层(4)设有位于第二容腔内的第二敏感结构(6)。
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