[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201520127109.1 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN204407349U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 黄文宾;谢祥彬;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型一种氮化镓基发光二极管结构，包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、第一N型GaN层、N型电子阻挡层、第二N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层，还包括位于第二N型GaN层上的N电极和位于P型GaN层上的P电极，其特征在于：所述N电极位于所述InGaN/GaN超晶格结构层形成的接触面上，InGaN/GaN超晶格结构层作为N型接触层，此外，超晶格结构层具有穿透效应，可以降低介于衬底和量子阱发光层之间的N型层的串联电阻值和N型层的接触电阻，使得LED器件的操作电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、第一N型GaN层、N型电子阻挡层、第二N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层，还包括位于第二N型GaN层上的N电极和位于P型GaN层上的P电极，其特征在于：所述第二N型GaN层内部设有InGaN/GaN超晶格结构层，所述N电极位于所述InGaN/GaN超晶格结构层形成的接触面上，所述InGaN/GaN超晶格结构层作为N型接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司;，未经安徽三安光电有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520127109.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有磁吸式后盖的电子烟电池
- 下一篇：一种基于仿生的冲击型水冷散热器
