[发明专利]在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法

权利要求书

1.一种在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成沟槽；

步骤二、在所述沟槽的底部表面和侧面同时形成第一层场氧化硅；

步骤三、形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层形成于所述第一层场氧化硅的表 面并延伸到所述沟槽外部的平台区；

步骤四、进行光刻胶涂布，通过控制所述光刻胶的厚度使所述光刻胶仅覆盖在所 述沟槽底部、而在所述沟槽外部的平台区没有所述光刻胶覆盖；

步骤五、采用干法刻蚀工艺对所述第二氮化硅层进行刻蚀，所述干法刻蚀工艺将 所述沟槽外部的平台区的所述第二氮化硅去除，位于所述沟槽底部表面的所述第二氮 化硅层由于被所述光刻胶覆盖而保留，所述沟槽侧面的所述第二氮化硅层也保留；

步骤六、去除所述光刻胶并对所述第一层场氧化硅进行湿法刻蚀，在由所述第二 氮化硅层和所述沟槽侧面的硅的自对准定义下，所述湿法刻蚀工艺沿着所述沟槽的顶 部往下对所述第一层场氧化硅进行刻蚀，所述湿法刻蚀工艺完成后在所述沟槽底部保 留部分所述第一层场氧化硅；

步骤七、去除所述第二氮化硅层；

步骤八、在底部保留有所述第一层氧化硅的所述沟槽的底部表面和侧面同时形成 第二层场氧化硅，所述第一层场氧化硅和所述第二层场氧化硅叠加后使得所述沟槽底 部的场氧化硅的厚度大于侧面的场氧化硅的厚度。

2.如权利要求1所述的在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于：所 述沟槽为具有屏蔽栅的沟槽栅功率MOS器件的栅极沟槽。

3.如权利要求1或2所述的在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于： 所述沟槽的深度为2微米～7微米。

4.如权利要求1或2所述的在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于： 步骤六中所述湿法刻蚀工艺完成后在所述沟槽底部保留的所述第二层场氧化硅的高 度为

5.如权利要求1或2所述的在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于： 步骤一中在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述沟槽形成于所述硅外延层中。

6.如权利要求1或2所述的在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法，其特征在于： 步骤一中形成所述沟槽包括如下分步骤：

在所述硅衬底表面形成硬质掩模层；

通过光刻工艺形成的光刻胶图形定义沟槽的形成区域；

采用刻蚀工艺将所述沟槽的形成区域的硬质掩模层去除；

去除所述光刻胶图形，以刻蚀后的所述硬质掩模层为掩模对所述沟槽的形成区域 的硅进行刻蚀形成所述沟槽。