[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201511003353.8 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105405894B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 侯智元 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括一基板、一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一蚀刻终止层、一源极以及一漏极。栅极配置基板上且具有多个贯穿孔。通道层位于栅极上。栅绝缘层配置于栅极以及通道层之间。蚀刻终止层配置于通道层上且具有多个接触孔以暴露出部分的通道层。源极以及漏极配置于蚀刻终止层上且分别借由接触孔与通道层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上，且该栅极具有多个贯穿孔；一通道层，位于该栅极上；一栅绝缘层，配置于该栅极以及该通道层之间；一蚀刻终止层，配置于该通道层上，且该蚀刻终止层具有多个接触孔以暴露出部分的该通道层，该多个接触孔借由该具有多个贯穿孔的该栅极作为曝光掩模以形成；以及一源极以及一漏极，其中该源极以及该漏极配置于该蚀刻终止层上且分别借由该些接触孔与该通道层电性连接；其中，该多个贯穿孔与该多个接触孔重迭。
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