[发明专利]一种光电集成多位阻变存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201510995816.7 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN106920878A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 刘秀青,熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电集成多位阻变存储器及制备方法。该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。其制备方法包括(1)衬底清洗；(2)在衬底上形成交叉阵列的底电极图形；(3)通过溅射技术及后处理形成底电极列；(4)在底电极阵列上形成交叉阵列的交叉点图形；(5)通过溅射技术及后处理沉积存储功能层；(6)通过构图工艺形成交叉阵列的顶电极图形；(7)通过溅射技术及后处理得到一层顶电极线阵列。该存储器在光照与非光照下进行器件的擦除操作时的关态电阻比值为多个数量级，适用于阻变存储器的多态存储技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成 多位阻变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电集成多位阻变存储器，其特征在于：该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。
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