[发明专利]一种光电集成多位阻变存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201510995816.7 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN106920878A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 刘秀青,熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成 多位阻变 存储器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电集成多位阻变存储器，其特征在于：该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。
2.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述底电极的厚度为20nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述顶电极材料的厚度为10nm-60nm。
4.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述存储功能层的厚度为25nm-50nm。
5.一种权利要求1所述的光电集成多位阻变存储的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)衬底清洗；
(2)通过构图工艺形成交叉阵列的底电极图形；
(3)通过溅射技术及后处理得到一层底电极线阵列；
(4)通过构图工艺形成交叉阵列的交叉点图形；
(5)通过溅射技术及后处理沉积一层存储功能层材料；
(6)通过构图工艺形成交叉阵列的顶电极图形；
(7)通过溅射技术及后处理得到一层顶电极线阵列。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述构图工艺为光刻构图技术、硬掩模技术或者纳米压印技术。
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