[发明专利]电容器带体连接结构及制作方法有效
| 申请号： | 201510982849.8 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105742373B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | V·S·巴斯克尔;K·程;B·R·奇普里安伊;R·迪瓦卡鲁尼;B·J·格林;A·克哈基菲奥兹;B·Y·金;W·L·尼科尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及电容器带体连接结构及制作方法，揭示用于深沟槽电容器连接的结构及方法。此结构包括电容器导体的缩小直径顶端部分。这使得介于邻接深沟槽电容器之间的有效间隔增大。接着沉积硅化物或附加多晶硅以完成介于该深沟槽电容器与邻接晶体管之间的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 连接 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，其包含：在半导体衬底中形成凹穴及绝缘体上半导体区置于该半导体衬底上方；在该凹穴中形成导体区的下部分，该导体区的该下部分具有在该凹穴内的上表面；在该凹穴内形成环形间隔物，该环形间隔物与该导体区的该下部分的该上表面接触并且至少部分包覆该凹穴内该绝缘体上半导体区的绝缘体层及至少部分曝露该凹穴内在该绝缘体层上方的该绝缘体上半导体区的半导体层；形成该导体区的上部分在该导体区的该下部分上，部分形成在该环形间隔物内，部分与该绝缘体上半导体区的该绝缘体层接触，并且部分在该环形间隔物的顶表面上方；以及在该导体区的该上部分外的至少部分形成鳍部分，该导体区的该鳍部分与该半导体衬底上方的该绝缘体上半导体区的该半导体层接触。
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