[发明专利]垂直真空密封碳纳米管场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510981315.3 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910687B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种垂直真空密封碳纳米管场效应晶体管及其制造方法，在导电层表面形成纳米颗粒作为触媒，接着形成碳纳米管，栅介质层与源漏极接触，将碳纳米管密封在真空环境，从而在后续形成碳纳米场效应晶体管之后能够降低器件工作电压，提高器件使用寿命及其它性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 真空 密封 纳米 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直真空密封碳纳米管场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一单大马士革结构，所述第一单大马士革结构包括介质层和导电层，所述导电层形成在所述介质层内，所述介质层暴露出所述导电层；/n在所述导电层表面形成纳米颗粒；/n在所述导电层上形成多个间隔排列的碳纳米管；/n在所述介质层、导电层及碳纳米管表面形成栅介质层；/n在所述栅介质层表面形成金属栅极，所述碳纳米管的部分顶部伸出所述金属栅极的表面；/n在所述金属栅极表面形成第二单大马士革结构，所述碳纳米管的顶部与所述第二单大马士革结构内的导电层相连；/n在形成第二单大马士革结构之后，在H2或N2环境下进行高温退火处理，使所述碳纳米管两端的导电层具有弧形突出部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
