[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201510979808.3 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN106910762B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 刘振宇;苏信远;林熙乾 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种有机发光二极管显示装置,包含一驱动基板、至少一有机发光二极管结构、至少一覆盖电极、至少一像素定义结构以及一保护盖。驱动基板包含至少一像素电极。有机发光二极管结构是设置于像素电极上。有机发光二极管结构是位于像素电极与覆盖电极之间。像素定义结构是设置于驱动基板上。像素定义结构具有一容置空间。有机发光二极管结构与覆盖电极是位于容置空间中。保护盖覆盖驱动基板、有机发光二极管结构、覆盖电极与像素定义结构。像素定义结构抵顶保护盖。通过上述配置,有机发光二极管显示装置可有效地防止湿气及/或氧气损害保护盖下方的有机发光二极管结构。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:一驱动基板,包含至少一像素电极;至少一有机发光二极管结构,设置于该像素电极上;至少一覆盖电极,该有机发光二极管结构是位于该像素电极与该覆盖电极之间;至少一像素定义结构,设置于该驱动基板上,该像素定义结构具有一容置空间,该有机发光二极管结构与该覆盖电极是位于该容置空间中;以及一保护盖,覆盖该驱动基板、该有机发光二极管结构、该覆盖电极与该像素定义结构,其中该像素定义结构抵顶该保护盖;其中,该像素定义结构是用以将该有机发光二极管结构所发出的光线反射回该容置空间中,且该像素定义结构包含:一透光体,位于该驱动基板上并定义该容置空间;一反射体,位于该驱动基板上;以及一不透光体,至少部分的该不透光体是设置于该反射体上以位于该反射体与该保护盖之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宸鸿光电科技股份有限公司,未经宸鸿光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510979808.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的