[发明专利]一种制作NiGeSn材料的方法有效
| 申请号： | 201510977256.2 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105551938B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 平云霞;孟骁然 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/225 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200444 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法，所述方法是首先提供Ge1‑xSnx层材料做为初始衬底，再在Ge1‑xSnx层表面生长金属插入层，接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施等优点；所生成的NiGeSn材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 nigesn 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作NiGeSn材料的方法，其特征在于：所述方法是首先提供Ge1‑xSnx层材料做为初始衬底，其中：0.01≤x≤0.12；再在Ge1‑xSnx层表面生长厚度为1～10nm的铝金属插入层；接着在铝金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，使Ni金属穿过铝金属插入层与Ge1‑xSnx层发生反应生成NiGe1‑xSnx层，其中：0.01≤x≤0.12；最后采用化学腐蚀法去除铝金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
