[发明专利]多层扇出型封装结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种多层扇出型封装结构及其制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上制作临时键合薄膜、第一种子层和金属柱；（2）去掉第一种子层，将第一芯片贴在临时键合薄膜上，然后填充第一绝缘树脂；（3）去除承载片和临时键合薄膜，在第一芯片正面制作第二绝缘树脂和第二种子层；（4）在第二种子层上面形成导电线路，在导电线路上面覆盖第三绝缘树脂；（6）在第三绝缘树脂的开口处形成金属球，金属球分别与第一芯片的焊盘和金属柱；（7）在第一芯片背面堆叠第二芯片，第二芯片的导电体与金属柱顶部融合，得到所述的多层扇出型封装结构。本发明降低制作成本，提高芯片的对准精度，获得尺寸更小、厚度更薄的半导体封装器件。

主权项

一种多层扇出型封装结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）承载片（101）作为基底材料，在承载片（101）上覆盖临时键合薄膜（102）；（2）在临时键合薄膜（102）上面形成第一种子层（103），在第一种子层（103）上面形成金属柱（104）；（3）去掉露出的第一种子层（103），将第一芯片（105）的正面贴在临时键合薄膜（102）上，第一芯片（105）的焊盘（106）正对临时键合薄膜（102）；然后在临时键合薄膜（102）和第一芯片（105）周围填充第一绝缘树脂（107），第一绝缘树脂（107）将临时键合薄膜（102）和第一芯片（105）包裹住，金属柱（104）的顶部露出；（4）去除承载片（101）和临时键合薄膜（102），露出第一芯片（105）的正面和金属柱（104），在第一芯片（105）正面涂覆第二绝缘树脂（108），在第二绝缘树脂（108）表面开口，露出金属柱（104）和第一芯片（105）的焊盘（106），在金属柱（104）和焊盘（106）表面形成第二种子层（109）；（5）在第二种子层（109）上面形成导电线路（110），导电线路（110）分别与金属柱（104）和第一芯片（105）的焊盘（106）连接；然后在导电线路（110）上面覆盖第三绝缘树脂（111），第三绝缘树脂（111）将导电线路（110）和第二绝缘树脂（108）覆盖，在第三绝缘树脂（111）表面形成开口，露出导电线路（110）；（6）在第三绝缘树脂（111）的开口处形成金属球（112），金属球（112）分别与第一芯片（105）的焊盘（106）和金属柱（104）；（7）在第一芯片（105）背面堆叠第二芯片（113），第二芯片（113）的导电体与金属柱（104）顶部融合，得到所述的多层扇出型封装结构。