[发明专利]一种可减少偏压控制信号的射频开关在审

专利信息
申请号: 201510957384.0 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN106911326A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 石雯;李思成;曹建;杨澄思;卢煜旻 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H04B1/38
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 代理人: 刘元霞
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 提供一种可减少偏压控制信号的射频开关,该射频开关包括至少二个射频场效应晶体管,所述射频场效应晶体管相互串联,各射频场效应晶体管的栅极共用一个栅极偏压控制信号Vgate,每个射频场效应晶体管的栅极和体极共用所述栅极偏压控制信号Vgate,所述射频场效应晶体管的栅极和体极通过一个二极管相连,所述二极管的正极与所述体极相连,所述二极管的负极与所述栅极相连,所述栅极偏压控制信号Vgate施加在所述栅极,并通过所述二极管的正极向所述射频场效应晶体管的体极施加偏压。本申请的射频开关在射频场效应管的栅极和体极之间连接一个二极管,体极无需再加单独的偏压控制信号,用一路偏压控制信号控制射频开关的开启和关断,减少了偏压控制信号输入的数量,降低偏压控制信号产生电路的复杂程度,简化了电路结构。
搜索关键词: 一种 减少 偏压 控制 信号 射频 开关
【主权项】:
一种可减少偏压控制信号的射频开关,该射频开关包括至少二个射频场效应晶体管,所述射频场效应晶体管相互串联,其特征在于:各射频场效应晶体管的栅极共用一个栅极偏压控制信号Vgate,每个射频场效应晶体管的栅极和体极共用所述栅极偏压控制信号Vgate,所述射频场效应晶体管的栅极和体极通过一个二极管相连,所述二极管的正极与所述体极相连,所述二极管的负极与所述栅极相连,所述栅极偏压控制信号Vgate施加在所述栅极,并通过所述二极管的正极向所述射频场效应晶体管的体极施加偏压。
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