[发明专利]鳍型场效应晶体管的鳍及其制备方法有效
| 申请号： | 201510954140.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105742359B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | B·B·多里斯;何虹;李俊涛;王俊利;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 各实施例针对一种富化和电隔离FinFET的鳍的方法。该方法包含形成至少一个鳍。该方法进一步包含在第一组条件下形成所述至少一个鳍的富化的上部。该方法进一步包含在第二组条件下从所述至少一个鳍的富化的下部形成电隔离区，其中，所述在第一组条件下的形成与所述在第二组条件下的形成是时间间隔的。该方法进一步包含与所述第二组条件分开来控制所述第一组条件。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成和电隔离鳍型场效应晶体管FinFET的鳍的方法，该方法包含：从体半导体形成至少一个鳍；在第一组条件下通过把至少一个元素扩散至所述至少一个鳍的上部形成所述至少一个鳍的上部，该步骤包含：在所述至少一个鳍的所述上部形成半导体材料的第一层，其中所述半导体材料包括所述至少一个元素，以及执行第一热氧化，以把所述第一层的所述至少一个元素扩散至所述至少一个鳍的上部；在第二组条件下从所述至少一个鳍的下部形成电隔离区；所述在第一组条件下的形成与所述在第二组条件下的形成是时间间隔的；和与所述第二组条件分开来控制所述第一组条件，其中所述控制所述第一组条件包含控制第一温度，并且包含多次重复执行第一热氧化，直到在不导致缺陷的情况下实现所需的参数。
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