[发明专利]采用等离子体射流以及外加力场制备的高阻隔薄膜及其制备方法和镀膜装置

摘要

本发明为一种采用等离子体射流以及外加力场制备的高阻隔薄膜及其制备方法和镀膜装置。通过增设的静磁场发生装置或/和静电场发生装置以及改进射流枪的等离子体发生装置，并对相应的方法做出调整，从而制备出一款致密性高，具有阻隔气体分子性能好的纳米级薄膜，本发明的优点解决了现有真空条件下采用等离子体技术制备薄膜阻隔层成本高、效率低的不足的同时，提高了镀膜的致密性，具有阻隔气体分子性能好、生产效率高、材料成本低、无污染等特点。

主权项

一种采用等离子体射流以及外加力场制备高阻隔薄膜的方法，通过等离子体发生装置产生的等离子体与放电气体混合后沉积于基材(3)上，等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在交变高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由交变高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头待喷出；其中，常压射流式等离子体发生装置包括射流枪(4)，安装在射流枪下方的载物台(5)、带动基材移动的前后传动轨(6)以及支撑整套装置的底座(7)、与射流枪进口通过管路连通的有机硅单体发生器(8)和放电气体供应源(9)、与有机硅单体发生器(8)连通的载气供应源(10)，工作电源(11)与射流枪(4)电联，其特征在于：在射流枪出口处、射流枪与基材之间设有静磁场发生装置或/和在射流枪与基材之间的前后设有静电场发生装置，使得在射流枪与基材之间，等离子体通过的区间内，分布有静磁场或/和静电场，所述静磁场的方向、等离子体喷射方向以及基材的运动方向三者相互垂直，所述的静电场方向与基材的运动方向相同或相反；等离子体经射流枪喷出后，受到静磁场或/和静电场的作用影响，分离等离子体中性质不同的成分，与空气中的氧化性气体反应，最后在基材上沉积形成阻隔薄膜。