[发明专利]一种硝酸盐体系两步法制备铜铟硫光电薄膜的方法在审
申请号: | 201510943244.8 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105551936A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 刘科高;李静;刘慧;徐勇;苏沫林;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/032;C25D9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种硝酸盐体系两步法制备铜铟硫光电薄膜的方法,属于太阳能电池用光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗二氧化锡导电玻璃基片,然后将C6H5Na3O7·2H2O、Cu(NO3)2·3H2O、In(NO3)3·4.5H2O、Na2S2O3·5H2O放入蒸馏水中,用电沉积法在导电玻璃片上得到前驱体薄膜,自然干燥,放入加有水合联氨的管式炉中,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,其中水合联氨中加有升华硫粉,在密闭管式炉内加热,使前驱体薄膜硫化,最后取出样品进行干燥,得到铜铟硫光电薄膜。本发明不需要高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性,主相为CuInS2相,可以实现低成本大规模的工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 硝酸盐 体系 步法 制备 铜铟硫 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种硝酸盐体系两步法制备铜铟硫光电薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.二氧化锡导电玻璃基片的清洗;b.将1.0~2.0份C6H5Na3O7·2H2O、6.5~13.0份Cu(NO3)2·3H2O、10.0~20.0份In(NO3)3·4.5H2O、65.0~130.0 Na2S2O3·5H2O份放入2700.0~5400.0份的蒸馏水中,使溶液中的物质溶解;c.采用电沉积法将步骤b所述溶液在导电玻璃片上沉积得到前驱体薄膜,自然干燥,得到前驱体薄膜样品;d. 将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,在水合联氨中加入升华硫粉,前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,将前驱体薄膜和水合联氨放入管式炉中;将管式炉加热至250~400℃之间,保温时间3~9h,然后冷却到室温取出;e.将步骤d所得物,进行自然干燥,得到铜铟硫光电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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