[发明专利]一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法在审
申请号: | 201510943166.1 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105489672A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 刘科高;李静;许超;徐勇;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法,属于太阳能电池用光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗二氧化锡导电玻璃基片,然后将C6H5Na3O7·2H2O、CuCl2·2H2O、InCl3、SeO2放入蒸馏水中,用电沉积法在导电玻璃片上得到前驱体薄膜,自然干燥,放入加有水合联氨的管式炉中,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,其中水合联氨中加有硒粉,在密闭管式炉内加热,使前驱体薄膜硒化,最后取出样品进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。本发明不需要高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性,主相为CuInSe2相,可以实现低成本大规模的工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 氯化物 体系 步法 制备 铜铟硒 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.二氧化锡导电玻璃基片的清洗;b.将1.0~2.0份C6H5Na3O7·2H2O、4.5~9.0份CuCl2·2H2O、6.0~12.0份InCl3、6.0~12.0份SeO2放入2700.0~5400.0份的蒸馏水中,使溶液中的物质溶解;c.采用电沉积法将步骤b所述溶液在导电玻璃片上沉积得到前驱体薄膜,自然干燥,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,在水合联氨中加入硒粉,前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,将前驱体薄膜和水合联氨放入管式炉中;将管式炉加热至250~400℃之间,保温时间3~9h,然后冷却到室温取出;e.将步骤d所得物,自然干燥,得到铜铟硒光电薄膜。
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H01L31-04 .用作转换器件的
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